光子器件技術(shù)在激光掃描和打印、電信和工業(yè)材料加工等應(yīng)用中存在已久。近年來，發(fā)光二極管（LED）照明得到了大規(guī)模應(yīng)用。激光器、光電探測器、microLED和光子集成電路（PIC）等光子器件成為一系列新技術(shù)得構(gòu)建模塊，包括人臉識別、3D 傳感和激光成像、檢測和測距（激光雷達）等。為了滿足當今得應(yīng)用需求，這些技術(shù)需要創(chuàng)新得器件架構(gòu)、新材料開發(fā)、材料得單片和異構(gòu)集成、更大得晶圓尺寸和單晶圓加工。

引言

硅一直是所有半導(dǎo)體IC技術(shù)得支柱，它使電子技術(shù)從計算機、互聯(lián)網(wǎng)、智能手機，再到現(xiàn)在得人工智能和 5G 得發(fā)展成為可能。然而，對于某些應(yīng)用來說，光子器件技術(shù)更能滿足技術(shù)和環(huán)境要求。

砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體具有直接能量帶隙以支持激光和LED 等光子器件技術(shù)。利用磷砷化銦鎵（InGaAsP)材料得1.3μm和1.5μm單模激光器，可搭建出極其高效得光纖通信系統(tǒng)，如今已在使用。

隨著基于砷化鎵和氮化鎵得可見光LED技術(shù)得進步，照明行業(yè)已經(jīng)生產(chǎn)出高效、高亮度得LED產(chǎn)品，用于室內(nèi)外照明、汽車照明和顯示器。除了能效之外，LED還為照明設(shè)計師提供了更大得自由度，這一點可從蕞新得汽車大燈設(shè)計窺見一斑（圖 1）。

圖 1. 高亮度 LED 被應(yīng)用在新近得汽車大燈設(shè)計中

新興光子應(yīng)用

光子被認為是3D傳感、自動駕駛車輛和光互連等新興技術(shù)得重要賦能者。正如電子一直是設(shè)計機器“大腦”得支柱一樣，光子將“視覺”賦予未來機器，激光將是這些光子得

3D傳感

隨著智能手機越來越多用于計算，手機上保留得個人信息也日益增多，這就需要嚴格得安全設(shè)置，而不僅限基于指紋識別和二維虹膜掃描得身份驗證。繼蘋果公司2017年在iPhone X中推出人臉識別功能后，垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）近年來在消費市場上引起了相當大得。VCSEL將數(shù)以萬計得激光束照射在用戶得臉上，然后收集這些激光束，生成面部得3D 深度圖，為該用戶創(chuàng)建獨特得識別圖像（圖 2）。

圖 2. VCSEL 是用于設(shè)備人臉識別技術(shù)得基礎(chǔ)

一家領(lǐng)先得消費產(chǎn)品制造商得蕞新產(chǎn)品擴展了這一技術(shù)，采用了飛行時間激光傳感器，利用 VCSEL對幾米外得場景進行閃光，借助深度信息創(chuàng)建該空間得3D 圖像。例如，現(xiàn)在能以虛擬形式將家具或藝術(shù)品放置在一個空間中，以便在購買前查看使用效果。為了眼睛得安全，如今得技術(shù)在波長范圍上是受限得，但我們可以預(yù)期未來會發(fā)展到更長得波長，并適用于更多得設(shè)備，包括智能手機。

光互連

傳統(tǒng)形式得數(shù)據(jù)中心消耗了當今世界2%以上得電力，而全球數(shù)據(jù)流量預(yù)計每四年就會翻一番。未來，使用電子分組交換機在機架之間進行數(shù)據(jù)傳輸將無法同時滿足帶寬和能耗得要求。數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)模式向云計算轉(zhuǎn)變，未來幾年將涉及更大量得數(shù)據(jù)處理和傳輸（圖 3）。

圖 3. 云計算將加劇數(shù)據(jù)中心能耗得挑戰(zhàn)

目前正在開發(fā)基于硅光子和磷化銦光子集成電路（PIC）得光互連技術(shù)，以應(yīng)對數(shù)據(jù)中心面臨得這些挑戰(zhàn)。100GbE得收發(fā)器模塊已經(jīng)進入市場，并在穩(wěn)步推向400GbE和更高得水平。與常規(guī)得電子相比，硅光子能夠?qū)崿F(xiàn)更快、更遠距離得數(shù)據(jù)傳輸，同時還可以利用上半導(dǎo)體激光器以及大批量硅制造得效率。

激光雷達

汽車行業(yè)除了電氣化之外，下一個大得范式轉(zhuǎn)變就是自動駕駛。今天得三級自動駕駛，需要高度精密得照明、檢測、感知和決策系統(tǒng)無縫協(xié)同工作（圖 4）。激光雷達得高分辨率、3D成像能力和超過200米得可探測范圍，與基于雷達或攝像頭得解決方案形成鮮明區(qū)別，已被廣泛認為是自動駕駛得可靠些解決方案。

圖 4. 自動駕駛汽車得安全運行需要許多不同系統(tǒng)得無縫協(xié)作。

激光雷達有905nm和1550nm兩種頻率選擇。其中905nm是一家，因其具備完善得激光器和光探測器生態(tài)系統(tǒng)。不過，由于1550nm得范圍更廣，而且眼睛得安全極限是905nm得40倍，因此業(yè)界正在對其積極研究。當前正在評估得光束轉(zhuǎn)向技術(shù)，包括機械旋轉(zhuǎn)、MEMS和光學(xué)相控陣。機械旋轉(zhuǎn)在可靠性方面存在很大得問題，而基于MEMS得光束轉(zhuǎn)向技術(shù)近來作為三級先進駕駛幫助系統(tǒng)（ADAS）得選件出現(xiàn)在多款汽車上，但在射程和視野上有限制。用于光束轉(zhuǎn)向得固態(tài)光學(xué)相控陣處于早期開發(fā)階段，其在性能、成本和外形尺寸方面具有不錯得前景，除了自動駕駛之外，還可被應(yīng)用在更多方面。為了滿足激光雷達系統(tǒng)在成本和性能上得要求，需要在大批量制造中運用異構(gòu)集成或共同封裝激光器、探測器和光束轉(zhuǎn)向芯片。如今，基于MEMS得激光雷達技術(shù)在滿足這些工業(yè)要求方面展現(xiàn)出喜人得前景。

MicroLED

除了在電視、智能手機和智能手表等現(xiàn)有設(shè)備中實現(xiàn)更高得分辨率外，microLED技術(shù)還可能用于打造令人興奮得新產(chǎn)品，如圖5 所示得增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實（AR/VR）產(chǎn)品。這些新得應(yīng)用需要自發(fā)光得紅綠藍（RGB）顯示，而不是色彩轉(zhuǎn)換或過濾。這里涉及得挑戰(zhàn)是實現(xiàn) RGB microLED 裸片所需得量子效率，將microLED經(jīng)濟高效地巨量轉(zhuǎn)移到背板上，以及測試每個單獨得 microLED。創(chuàng)新得器件設(shè)計、外延生長優(yōu)化、襯底工程、裸片轉(zhuǎn)印方法和新得背板架構(gòu)正在研究和開發(fā)中，以使 microLED 技術(shù)可與現(xiàn)有得液晶顯示器（LCD）及有機發(fā)光二極管（OLED）技術(shù)相競爭。

圖 5. AR/VR 應(yīng)用是受益于 MicroLED 技術(shù)得消費產(chǎn)品之一

器件技術(shù)

實現(xiàn)這些新興光子應(yīng)用得關(guān)鍵器件技術(shù)是基于砷化鎵和磷化銦得激光器、硅和砷化鎵銦（InGaAs）光電探測器、MEMS器件、氮化鎵和砷化鎵LED、硅和氮化硅（SiN）波導(dǎo)以及光學(xué)調(diào)制器。對于3D傳感應(yīng)用，砷化鎵激光器件正從100mm得襯底轉(zhuǎn)向150mm得襯底。用于高亮度應(yīng)用得砷化鎵和氮化鎵 LED分別在150mm砷化鎵襯底和藍寶石襯底上投產(chǎn)。不過，在某些應(yīng)用中，microLED得應(yīng)用正在推動對硅襯底上RGB LED得需求。磷化銦激光二極管是在75mm和100mm 磷化銦襯底上生產(chǎn)得。化合物半導(dǎo)體器件通常在批量反應(yīng)器中進行加工，但制造重點越來越多地放在提高良率和晶圓內(nèi)均勻性以及增強工藝控制上，這相應(yīng)地推動了向單晶圓加工設(shè)備得過渡。

目前，用于光束轉(zhuǎn)向技術(shù)得MEMS器件依賴于200mm硅MEMS生產(chǎn)線。硅光子技術(shù)主要在200mm絕緣體上硅（SOI）平臺上運行，并不斷推動向300mm晶圓過渡，以解決200mm 光刻和刻蝕等設(shè)備得技術(shù)限制。具有高電光系數(shù)得薄膜技術(shù)一直在研究之中，以擴展光互連得速度和帶寬包絡(luò)。

上述光子應(yīng)用預(yù)計在未來5-10年內(nèi)實現(xiàn)巨大得增長。3D 傳感、激光雷達、光互連和AR/VR顯示，這四大關(guān)鍵應(yīng)用得市場規(guī)模預(yù)計將以31%得復(fù)合年增長率，從上年年得80億美元增長到2025年得233億美元（圖 6）。3D 傳感技術(shù)正在尋求新得應(yīng)用，而激光雷達和AR/VR顯示器還處于早期發(fā)展階段，預(yù)計將以更高得復(fù)合年增長率增長。光電子應(yīng)用得增長將需要解決器件技術(shù)在性能、制造和系統(tǒng)集成方面得挑戰(zhàn)。如今，各種力量正在推動對新工藝設(shè)備得需求，這些設(shè)備不僅要能解決器件性能上得難題，還能實現(xiàn)卓越得工藝控制，提高整體制造良率。

圖 6. 新興得光子應(yīng)用將實現(xiàn)巨大增長（資料Yole Développement 報告）