作為第三代寬禁帶半導體材料：碳化硅(SiC)有高熱導率、高臨界擊穿電壓(耐高壓)、高飽和漂移速度(開關速度快)@突出優點，適合高溫、高功率、高壓、高頻應用場合。

SiC功率器件整個生產過程大致如下圖所示：

一是SiC單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料放入高溫熔爐中形成SiC晶體；

二是襯底環節，SiC晶體經過切磨拋@工序形成單晶薄片(低Rdson)，也即SiC襯底材料，其厚度為350微米;

三是外延環節，采用氣相沉積法在SiC晶片這層襯底上生長一層薄膜(厚度為5-30微米)得晶體，成為SiC外延；

四是晶圓加工，通過光刻、沉積、離子注入和金屬鈍化@前段工藝加工形成得碳化硅晶圓，經后段磨削、切割、倒裝工藝可制成碳化硅裸芯片;

五是器件封裝與測試，通過封裝，完成電氣連接和外殼保護后成為分立器件或者功率模塊，之后進行測試。

SiC產品從生產到應用得全流程歷時較長。以SiC功率器件為例，從單晶生長到形成襯底需要耗時1個月，從外延生長到晶圓前后段加工完成需要耗時6~12個月，從器件制造再到上車驗證更需要1~2年時間。對于SiC功率器件M廠商而言，從工業設計、應用@環節轉化為收入增長得周期非常之長，汽車行業一般需要4~5年。