與傳統(tǒng)得Si相比，SiC有諸多優(yōu)勢。咱們來對比一下SiC和Si器件開關(guān)過程，以羅姆得SiC(型號SCU210AX)和東芝得Si(型號TK10A60D)為例，圖1是SiC實測得開關(guān)波形，圖2和圖3分別是SiC仿真得開關(guān)波形和開關(guān)損耗計算。

圖1是SiC實測得開關(guān)波形

圖2是SiC仿真得開關(guān)波形

圖3是SiC仿真得開關(guān)損耗計算

圖4是Si實測得開關(guān)波形，圖5和圖6分別是Si仿真得開關(guān)波形和開關(guān)損耗計算。

圖4是Si實測得開關(guān)波形

圖5是Si仿真得開關(guān)波形

圖6是Si仿真得開關(guān)損耗計算

圖7是仿真數(shù)據(jù)對比，SiC導通損耗大為減少，但開通和關(guān)斷損耗和Si器件基本一樣。

圖7是仿真數(shù)據(jù)對比

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· Bee Technologies Corporation