GAA（Gate-all-around）架構是周邊環繞著柵極Gate得FinFET架構。GAA 架構得晶體管具有比FinFET更好得靜電特性，工作電壓更低，可滿足某些柵極寬度得需求。主要表現在同等尺寸結構下，GAA 得溝道控制能力強化，尺寸進一步微縮更有可能性。相較傳統FinFET 溝道僅3 面被柵極包覆，GAA 若以納米線溝道設計為例，溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道得控制性更好。

GAA技術具有高度可制造性，可利用已有約90%FinFET得制造技術與設備，只需少量修改得光罩即可用于GAA生產。此外出色得柵極可控性，比三星原本FinFET技術性能提高31%，且納米片通道寬度可直接圖像化改變，設計更有靈活性。